热压键合技术
在 CoWoS 与 HBM 的 TSV 制程中，热压键合与混合键合是国内亟需突破的技术难点，该类设备亦是该制程的关键设备之一。
TCB 在制程中的位置
热压键合通过精确控制的温度与压力，将堆叠芯片经由微凸块或混合键合面接合。在 HBM 中，正是这道工序把一颗颗 DRAM 芯片变成高带宽堆叠；在 CoWoS 中，则负责将芯片贴装到硅中介层上。
国产化的缺口
目前国内尚无 HBM 热压键合设备的实际供应商，并且落后韩国厂家数年之久。凭借 20 多年在存储热压键合技术上的积累，我们已研发出两款核心设备，成为少数掌握此制程技术的企业之一。