熱壓鍵合技術
在 CoWoS 與 HBM 的 TSV 製程中，熱壓鍵合與混合鍵合是國內亟需突破的技術難點，該類設備亦是該製程的關鍵設備之一。
TCB 在製程中的位置
熱壓鍵合透過精確控制的溫度與壓力，將堆疊晶片經由微凸塊或混合鍵合面接合。在 HBM 中，正是這道製程把一顆顆 DRAM 晶片變成高頻寬堆疊；在 CoWoS 中，則負責將晶片貼裝到矽中介層上。
難在哪裡
熱壓鍵合同時考驗力量控制、熱管理與次微米級貼裝精度，全球僅少數供應商將其推進到量產階段，堆疊產線因此長期依賴極為集中的供應來源。憑藉 20 多年在記憶體熱壓鍵合技術上的積累，我們已研發出兩款核心設備，成為少數掌握此製程技術的企業之一。